手机闪存测试 闪存测试androbench

近日，手机界的话题焦点无疑被三星Galaxy Fold所占据。作为首款可量产上市的折叠屏手机，Galaxy Fold的强大实力毋庸置疑。其配备了4.6英寸与7.3英寸的双屏设计、强大的骁龙855移动平台以及前后共计6颗摄像头，尽管价格较高，但其出色的性能绝对物超所值。

实际上，除了其引人注目的双屏设计和强大硬件外，三星Galaxy Fold还有一项常常被忽视的亮点——全球首发的UFS3.0闪存芯片。

在手机领域，随着SoC性能的不断提升，内存和存储空间的持续扩大，摄像头技术的日益进步，我们欣喜地看到手机功能的日益完善。就存储性能而言，尽管其他硬件不断进步，存储性能却始终是手机综合表现中的短板。

目前，主流手机多采用eMMC5.1、UFS2.1单通道及UFS2.1双通道等不同规格的闪存。我们可以通过AndroBench和鲁大师等工具对各种闪存性能进行对比分析。

eMMC5.1闪存，作为较低端的选项，常出现在2000元以下主流市场的手机中，其在AndroBench中的持续读写速度分别为281MB/s和214MB/s。

UFS2.1闪存则根据通道数量的不同，性能有所差异。单通道主要服务于中高端手机，而双通道则常出现在高端机型中。最顶级的UFS3.0闪存芯片的出现，改变了这一格局。

UFS3.0在2019年Q1开始量产，并成为骁龙855的绝配。其在AndroBench中的持续读写速度分别高达1507MB/s和396MB/s，相比双通道UFS2.1提升了80%以上。这一显著的性能提升，使得UFS3.0成为手机存储领域的佼佼者。

在各种测试项目中，包括顺序读写、随机读写以及SQLite操作等，UFS3.0的综合性能表现均优于前代标准。虽然在随机读写和SQLite性能上与双通道UFS2.1相比略有不足，但整体而言，UFS3.0的强大性能仍值得称赞。

为了更好地理解这两种闪存技术，我们简要科普一下eMMC与UFS的基础知识。eMMC是Embedded Multi Media Card的缩写，它是一种集成了主控制器的NAND闪存芯片，主要目的是为了减少对PCB主板的空间占用。而UFS则可以视为eMMC的进阶版，它通过多个闪存芯片、主控和缓存组成阵列式存储模块，从而实现更高的性能。

UFS 2.x系列被细分为UFS 2.0和UFS 2.1，它们在读写速度上有所不同。而UFS 3.0则引入了更高级的HS-G4规范，单通道带宽大幅提升。UFS 3.0还支持更多的分区、更高的纠错性能以及最新的NAND Flash闪存介质。