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虽然 Qualcomm 的 Quick Charge 快充标准已经发展到 QC4.0+，但仅限于旗舰处理器骁龙 865，中端处理器依然停留在 QC2.0/3.0 时代。 为了提升中端手机的充电效率，高通在 QC3.0 基础上推出了 QC3.0+。

4 月 28 日，高通正式发布 Quick Charge 3.0+ 快充技术。 该技术最高协议标准为 20V/3A，功率可达 60W。 以一块 4000 毫安时的电池为例，使用 QC3.0+ 充电头，只需约 15 分钟即可将电量充至 50%， 比之前的 QC3.0 快 35%。

QC3.0+ 向下兼容 QC2.0/3.0 设备，这意味着 QC3.0+ 充电头可以为旧设备充电，无需担心充电头不适配。 除了充电速度提升，QC3.0+ 还优化了充电机制，使设备在充电时温度更低，官方数据显示降温 9 度，相当不错。

目前，官方公布支持 QC3.0+ 的芯片仅有骁龙 765/765G，但这项技术在手机上的实际应用还需要一段时间。